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BSC100N10NSF G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 50V; 功率_最大：156W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：Digi-Reel®

BSC100N10NSF G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 50V; 功率_最大：156W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：剪切带 (CT)

BSC100N10NSF G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 50V; 功率_最大：156W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：带卷 (TR)

BAV116W-7-F
单二极管/整流器 Diodes Inc SOD-123 DIODE SWITCH 130V 250MW SOD123
7-1879130-9
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0402（1005 公制） RES 4.99K OHM 1/16W 0.1% 0402
C3CEG-2006G-ND
矩形 CW Industries 0402（1005 公制） IDC CABLE - CKC20G/AE20G/CCE20G
BSC100N06LS3 G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
BQ074D0474K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
B41691A5108Q9
电容器 EPCOS Inc 1000UF 25V 16X30 AXIAL
B43521C567M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SOLDER PIN 560UF 420V
BAV19
单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE GEN PURP 120V 200MA DO-35
7-1879131-6
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0402（1005 公制） RES 10.7K OHM 1/16W 0.1% 0402
BQ074D0564J
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.56UF 63VDC RADIAL
BAV19_T50R
单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE GEN PURP 120V 200MA DO-35
B43521C687M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SOLDER PIN 680UF 420V
BSC118N10NS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
B41691A7128Q7
电容器 EPCOS Inc 1200UF 40V 20X29 AXIAL
7-1879133-1
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 4.75K OHM 1/16W 0.1% 0603

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